SGP6N60UFDTU

SGP6N60UFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGP6N60UFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента SGP6N60UFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 30 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № SGP6N60UFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BF908,215 BF908,215 --- РЧ полевые транзисторы ---
BCR 562 E6327 BCR 562 E6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Silicon Digital TRANSISTOR ---
MAX1595EUA33 MAX1595EUA33 --- Схемы управления питанием ---
564-0200-331 564-0200-331 --- Светодиодная индикация ---
2P18U3/12 2P18U3/12 --- Автоматические выключатели ---