FGH50N6S2
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FGH50N6S2 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Sgl 600V N-Ch | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9326538.pdf | ||
| Детальное описание компонента FGH50N6S2 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Рассеяние мощности | 463 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 150 |
| Другие названия товара № | FGH50N6S2_NL | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM3916N-1 | National Semiconductor (TI) | LED Drivers | 4512640.pdf |
|
|
 |
1N4935GPHE3/73 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated | 3782471.pdf |
|
|
|
|
SA8027DH,518 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
74HC2G66DP-G | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
4400.0059 | --- | Автоматические выключатели | --- |
|