FGH50N6S2

FGH50N6S2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH50N6S2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Sgl 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9326538.pdf
Детальное описание компонента FGH50N6S2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 463 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH50N6S2_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BLF177CR,112 BLF177CR,112 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура VDMOS TNS 5495620.pdf
PCM1608Y PCM1608Y Texas Instruments ИС ЦАП для аудиосигналов 24Bit/192kHz Smplg 6Ch Enh Mltl D-S DAC 5908379.pdf
SN74AUP2G14DRYR SN74AUP2G14DRYR Texas Instruments Инвертеры Lo-Pwr Dual Schmitt- Trigger Inverter ---
7211J26ZQI12 7211J26ZQI12 --- Переключатели ---
MPL115A1T2 MPL115A1T2 --- Board Mount Sensors ---