FGH20N6S2D

FGH20N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH20N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp N-Ch 600V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGH20N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 28 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 28 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DMA5640M0R DMA5640M0R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm ---
74V2T14STR 74V2T14STR STMicroelectronics Инвертеры Dual Schmitt Invertr 1319949.pdf
MAX6795TPZD2+ MAX6795TPZD2+ --- Схемы управления питанием ---
AUIR33401STRL AUIR33401STRL --- Коммутационные микросхемы ---
5315212 5315212 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---