FGB30N6S2T

FGB30N6S2T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CD74HC112PWG4 CD74HC112PWG4 Texas Instruments Триггеры Hi Spd CMOS Dual Neg Edge-Trggrd J-K 6604177.pdf
KA3S0765RFYDTU KA3S0765RFYDTU --- Коммутационные микросхемы ---
B57550G303F B57550G303F --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
MOC8112W MOC8112W --- Оптопары и оптроны ---
337-072-542-204 337-072-542-204 --- Прямоугольные разъемы ---