FGB30N6S2T

FGB30N6S2T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5115EEP+ MAX5115EEP+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 4Ch Precision DAC 1629322.pdf
DS1250W-100+ DS1250W-100+ --- Микросхемы памяти ---
TOP248R-TL TOP248R-TL --- Схемы управления питанием ---
M5LV-256/68-5YC M5LV-256/68-5YC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
598-8010-107F 598-8010-107F --- Светодиодная индикация ---