IHW20N120R
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IHW20N120R | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента IHW20N120R | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 20 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Through Hole | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX16833BAUE/V+T | Maxim Integrated Products | LED Drivers 2MHz HB w/MOSFET & HSide Crnt Sense | 4483887.pdf |
|
|
 |
NHD-240128WG-BYGH-VZ#000C | Newhaven Display | Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности STN-Y/G Transfl 144.0 x 104.0 | 5453305.pdf |
|
|
 |
EBWT32-A | Bluegiga Technologies | Средства разработки Bluetooth / 802.15.1 WT32 Evaluation Kit | 833164.pdf |
|
|
|
|
MLO36-12io1 | Ixys | Дискретные полупроводниковые модули 36 Amps 1200V | 4614499.pdf |
|
|
 |
PMBFJ620,115 | NXP Semiconductors | JFET JFET N-CHAN DUAL 25V | 9362045.pdf |
|