HGT1S7N60A4S9A

HGT1S7N60A4S9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S7N60A4S9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S7N60A4S9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 34 A Ток утечки затвор-эмиттер 125 A
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 34 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74LVC08ADB-T 74LVC08ADB-T NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT AND GATE 8690539.pdf
MAX6439UTBITD3+T MAX6439UTBITD3+T --- Схемы управления питанием ---
S4006EWA S4006EWA --- Светодиодные дисплеи ---
ELM55003BC-Y/G ELM55003BC-Y/G --- Светодиодная индикация ---
ELM 4-7MM ELM 4-7MM --- Светодиодная индикация ---