IHW15N120R2

IHW15N120R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW15N120R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW15N120R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A Рассеяние мощности 357 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW15N120R2XK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM25007EVAL LM25007EVAL National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LM25007 EVAL BOARD 9738178.pdf
MAX5970EVKIT+ MAX5970EVKIT+ Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MAX5970 Eval Kit 9740611.pdf
RGP30B-E3/1 RGP30B-E3/1 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 3.0A 150ns 125 Amp IFSM 4078512.pdf
74AHCT1G04GV,125 74AHCT1G04GV,125 NXP Semiconductors Инвертеры SINGLE HEX INVERTER 5165195.pdf
RC0431AT_32 RC0431AT_32 --- Схемы управления питанием ---