HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S14N36G3VLS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dr 14A 360V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S14N36G3VLS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 24 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.25 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 18 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 100 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 18 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S14N36G3VLS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S07J-GS18 S07J-GS18 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 0.7 Amp 600 Volt 1.8uS 3674994.pdf
MC14094BFEL MC14094BFEL ON Semiconductor Регистры сдвига счетчика 3-18V 8-Bit ---
74LVC32ATTR 74LVC32ATTR STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input OR 8305189.pdf
S-8540C33FN-ICS-T2 S-8540C33FN-ICS-T2 --- Схемы управления питанием ---
SSRA-240D2 SSRA-240D2 --- Оптопары и оптроны ---