HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S20N36G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20A 360V Clamp
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S20N36G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 395 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 26 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262AA-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 37.7 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8596YETA+T MAX8596YETA+T Maxim Integrated Products LED Drivers 36V Step-Up Converter 4440528.pdf
NE68033-T1B-R45-A NE68033-T1B-R45-A CEL РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Silicon AMP Oscilltr Transist 5355485.pdf
DAC8734SRHAR DAC8734SRHAR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B Quad High Acc +/-15V output DAC 1897442.pdf
MAX543AEWE-T MAX543AEWE-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3212078.pdf
HFBR-2528 HFBR-2528 Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Versatile Link Horiz 10MBd Rx ---