IHW30N100R
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IHW30N100R | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IHW30N100R | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1 KV |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A | Рассеяние мощности | 412 W |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-247-3 |
Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IHW30N100RXK |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
74HC112D,652 | NXP Semiconductors | Триггеры DUAL J-K NEG EDGE | 6617336.pdf |
|
||
M93C76-MN6TP | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
SST25VF080B-50-4C-PAE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
TPS61071DDCR | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
S1125-KIT-8 | --- | Химикаты | --- |
|