IHW30N100R

IHW30N100R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N100R
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N100R
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 412 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N100RXK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74HC112D,652 74HC112D,652 NXP Semiconductors Триггеры DUAL J-K NEG EDGE 6617336.pdf
M93C76-MN6TP M93C76-MN6TP --- Микросхемы памяти ---
SST25VF080B-50-4C-PAE SST25VF080B-50-4C-PAE --- Микросхемы памяти ---
TPS61071DDCR TPS61071DDCR --- Схемы управления питанием ---
S1125-KIT-8 S1125-KIT-8 --- Химикаты ---