IHW30N100R

IHW30N100R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N100R
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N100R
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 412 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N100RXK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP3337MN330GEVB NCP3337MN330GEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием NCP3337 3.3V EVAL BOARD ---
TAS5112ADFDR TAS5112ADFDR Texas Instruments Усилители звука Digital Amp Power Stage 3921636.pdf
CZB2AFTTD170P CZB2AFTTD170P --- ЭМП и РЧП ---
TPS65072RSLR TPS65072RSLR --- Схемы управления питанием ---
TL-505 TL-505 --- Мультиметры и вольтметры ---