IHW30N100R

IHW30N100R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N100R
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N100R
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 412 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N100RXK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TOOLSTICK327DC TOOLSTICK327DC Silicon Labs Дочерние и отладочные платы C8051F326/327 daughter card 9753050.pdf9753051.pdf
MBR30H30CTG MBR30H30CTG ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 30A/30V H-SERIES TO-220 ---
STGD6NC60HT4 STGD6NC60HT4 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT 9302973.pdf
MAX9389ETJ-T MAX9389ETJ-T Maxim Integrated Products Синхронизаторы и распределители тактового сигнала ---
SN74LVC138AD SN74LVC138AD Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Line Decoder 2592382.pdf2592405.pdf