FGH40N6S2D

FGH40N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH40N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGH40N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 290 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH40N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
106114-1200 106114-1200 Molex Волоконно-оптические соединители MPO EMI ADAPTER SMAL ALL FLANGE SNAP Mnt 5714721.pdf
FS25R12KT3 FS25R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A ---
KSB1149YSTU KSB1149YSTU Fairchild Semiconductor Transistors Darlington PNP Silicon Darl ---
SN74AHC04MPWREP SN74AHC04MPWREP Texas Instruments Инвертеры Mil Enhance Hex Инвертеры 1088601.pdf
HLMP1700101F HLMP1700101F --- Светодиодная индикация ---