HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S20N35G3VLS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dr 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S20N35G3VLS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S20N35G3VLS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FAN5614S7X FAN5614S7X Fairchild Semiconductor LED Drivers LDO LED Driver all Colors 4566602.pdf
CY23FS08OXI-06 CY23FS08OXI-06 --- RF Semiconductors ---
MSA-0300-GP4 MSA-0300-GP4 --- RF Semiconductors ---
SN74CBT3384CPWG4 SN74CBT3384CPWG4 --- Коммутационные микросхемы ---
EEE-TG1V470UP EEE-TG1V470UP --- Конденсаторы ---