HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S20N35G3VLS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dr 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S20N35G3VLS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S20N35G3VLS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SRP600J-E3/54 SRP600J-E3/54 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 600 Volt 6.0A 200ns 3714258.pdf
BTA206X-800ET,127 BTA206X-800ET,127 NXP Semiconductors Триаки 3 QUADRANT TRIACS 216194.pdf
74F11PC_Q 74F11PC_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Trp 3-Input AND Gate 8731813.pdf
SSL-LX2573HD-BL6 SSL-LX2573HD-BL6 --- Светодиодная индикация ---
B43560A4608M003 B43560A4608M003 --- Конденсаторы ---