FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2DT
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2DT
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA Рассеяние мощности 167 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-263AB-3
Упаковка Reel Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS5346-DQZR CS5346-DQZR Cirrus Logic ИС ЦАП для аудиосигналов 103dB 24Bit 192kHz Stereo Audio ADC 5911890.pdf
AT24C256B-10PU-1.8 AT24C256B-10PU-1.8 --- Микросхемы памяти ---
MGA-68563-TR2G MGA-68563-TR2G --- RF Semiconductors ---
35-2106 35-2106 --- Автоматические выключатели ---
G9S-321-T10 AC240 G9S-321-T10 AC240 --- Реле и модули ввода и вывода ---