FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2DT
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2DT
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA Рассеяние мощности 167 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-263AB-3
Упаковка Reel Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX7231BFIQH-TD MAX7231BFIQH-TD Maxim Integrated Products Аппаратные драйверы ЖКД 8-Digit Triplexed LCD Decoder Driver 3947701.pdf
MX7534SD MX7534SD Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3282889.pdf
BUK220-50Y,118 BUK220-50Y,118 --- Коммутационные микросхемы ---
SB-3200-2200-1C SB-3200-2200-1C --- Гибкие осветительные полосы ---
SFP-CNL06 SFP-CNL06 --- Инструменты ---