FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2DT
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2DT
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA Рассеяние мощности 167 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-263AB-3
Упаковка Reel Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX1483CUA+T MAX1483CUA+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-485 Slew-Rate-Limited RS-485 Transceivers 6051979.pdf
TMS320F28023DAQ TMS320F28023DAQ Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Piccolo Micro 5882003.pdf
TMS320DM640AGNZA4 TMS320DM640AGNZA4 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Video/Imaging Fixed Pt Dig Signal Proc 6105014.pdf
MAX6837GXSD4+T MAX6837GXSD4+T --- Схемы управления питанием ---
MN26T MN26T --- Мультиметры и вольтметры ---