HGT1S7N60C3D

HGT1S7N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S7N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Optocoupler Phototransistor
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S7N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCF2111CT/1,118 PCF2111CT/1,118 --- Дисплеи ---
TWR-K20D72M TWR-K20D72M Freescale Semiconductor Макетные платы и комплекты - ARM ---
APSDM008G15AD-ATW APSDM008G15AD-ATW Apacer Твердотельные накопители (SSD) SDM4 22P/90D SATA DISK MOD SLC 8GB ET 1737535.pdf
D-602-0143 D-602-0143 --- Цилиндрические разъемы ---
2466 2466 --- Электронное оборудование ---