IHW30N90R

IHW30N90R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N90R
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N90R
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 454 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N90RXK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GUI-DRVR-S13748-X-P1-SNGL GUI-DRVR-S13748-X-P1-SNGL Micrium Программное обеспечение для разработки uC/GUI Driver GUIDRV_S1D13748 SPL 9265659.pdf
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHR3 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV7 1.8GHZ CW 125W NI780 372526.pdf
DAC7664YBT DAC7664YBT Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) DAC Quad 16 Bit 12uS Settling Time 2602190.pdf
MAX6440UTFGTD3-T MAX6440UTFGTD3-T --- Схемы управления питанием ---
FLP2FV10.5-UW FLP2FV10.5-UW --- Светодиодная индикация ---