HGTP12N60A4

HGTP12N60A4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP12N60A4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP12N60A4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP12N60A4_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DVMCPA DVMCPA Microchip Technology Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных MXDEV 1 Analog Eval ---
IRG7PH46UDPBF IRG7PH46UDPBF International Rectifier Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 108A 4798422.pdf
TLC5602CDWRG4 TLC5602CDWRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 30MSPS Single DAC 2037397.pdf
CAT24C03ZI-GT3 CAT24C03ZI-GT3 --- Микросхемы памяти ---
TGA2806-SM-T/R TGA2806-SM-T/R --- RF Semiconductors ---