FGP30N6S2

FGP30N6S2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Sgl 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
N74F804D-T N74F804D-T NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) HEX 2-INPUT NAND DRV 8704418.pdf
MAX6765TTVD0+T MAX6765TTVD0+T --- Схемы управления питанием ---
B59549A0135A020 B59549A0135A020 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
P7340A D3 P7340A D3 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
16-001050 16-001050 --- Субминиатюрные соединители ---