FGH30N6S2D

FGH30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGH30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
101-0953 101-0953 Rabbit Semiconductor Макетные платы и комплекты - другие процессоры RCM3360 DEV KIT ---
CD74HC109MG4 CD74HC109MG4 Texas Instruments Триггеры Hi Spd CMOS Dual Pos-Edge-Trggrd J-K 6633156.pdf
SN74LV20ADG4 SN74LV20ADG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 4 Input Pos NAND Gate 8266062.pdf
MAX6466UR48+T MAX6466UR48+T --- Схемы управления питанием ---
STD550BLK STD550BLK --- Светодиодная индикация ---