FGH30N6S2D

FGH30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGH30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SLCF4GBJI-F SLCF4GBJI-F STEC Карты памяти 4GB Ind Temp Fixed IDE 1608420.pdf
LTE-5208A LTE-5208A Lite-On Инфракрасные излучатели Infrared 940nm ---
SN74ALS139NE4 SN74ALS139NE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Dual 2 to 4-Line Decdr/Demltplxer 3129459.pdf
NB2304AC1HDG NB2304AC1HDG --- RF Semiconductors ---
SN74CBT3245CDWE4 SN74CBT3245CDWE4 --- Коммутационные микросхемы ---