FGH30N6S2D

FGH30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGH30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
4020-DKDB10 4020-DKDB10 Silicon Labs Радиочастотные средства разработки Test Board loop Tx (915/868MHz) ---
MAX455CWP MAX455CWP Maxim Integrated Products Видеоусилители 2693801.pdf
NCV890131MWTXG NCV890131MWTXG --- Схемы управления питанием ---
MAX6463XR30-T MAX6463XR30-T --- Схемы управления питанием ---
MX6AWT-A1-0000-000AA6 MX6AWT-A1-0000-000AA6 --- Светодиоды высокой мощности ---