FGP30N6S2D

FGP30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № FGP30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CD4040BEE4 CD4040BEE4 Texas Instruments ИС, счетчики 12 STAGE BINARY CNTR 9575415.pdf
HFCT-5208AEM HFCT-5208AEM Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы 1x9 622Mb/s IR ExtTe mp Txcvr Metal ---
SP3222EUCT-L SP3222EUCT-L Exar Функции универсальной шины 1MBPS 3-5.5V RS-232 2-DRV/2-RCV LOW PWR 5542283.pdf
LCMXO256E-4M100I LCMXO256E-4M100I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX303CSE+ MAX303CSE+ --- Коммутационные микросхемы ---