FGP30N6S2D

FGP30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № FGP30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LQ150X1LG41 LQ150X1LG41 Sharp Microelectronics Тонкопленочные дисплеи и принадлежности 15" 1024X768 XGA ---
MAX2120EVKIT+ MAX2120EVKIT+ Maxim Integrated Products Радиочастотные средства разработки MAX2120 Eval Kit 972908.pdf
INA129SHKJ INA129SHKJ Texas Instruments Измерительные усилители Harsh Env Prec,Low Pwr Instr Amp ---
PCA9306DCUTG4 PCA9306DCUTG4 Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения Dual Bi-Direc I2C- Bus 4781069.pdf
S-8520A21MC-AVGT2G S-8520A21MC-AVGT2G --- Схемы управления питанием ---