FGP30N6S2D

FGP30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № FGP30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BCR 553 E6327 BCR 553 E6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Silicon Digital TRANSISTOR ---
THS4226DGQR THS4226DGQR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Lo-Dist Hi-Speed R-to-R Ouput 1155320.pdf
74ACT573PC 74ACT573PC Fairchild Semiconductor Защелки Octal Latch 2935903.pdf
VAOM-C20571G-BW/40 VAOM-C20571G-BW/40 --- Светодиодные дисплеи ---
SML-LX23AC-TR SML-LX23AC-TR --- Светодиодная индикация ---