FGP30N6S2D

FGP30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № FGP30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M68TC08GZFB64E M68TC08GZFB64E Freescale Semiconductor Панели и адаптеры TARGET HEAD ADAPTER ---
RN2118MFV(TPL3) RN2118MFV(TPL3) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) -50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms 9510296.pdf
DS1010C-401 DS1010C-401 Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы ---
1813/31 B1 C 1813/31 B1 C APM HEXSEAL Держатели ламп и принадлежности Silikrome Lamp filter - Blue 6271879.pdf
MAX804TCPA+ MAX804TCPA+ --- Схемы управления питанием ---