FGP30N6S2D

FGP30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGP30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGP30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 45 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № FGP30N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCS6415DWEVB NCS6415DWEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) видео EVAL BRD DEVICE ---
KIT 80100-3 KIT 80100-3 Digital View Комплектующие для процессоров Pwr Supply 4 amp 497620.pdf
XR16V2651IL-0B-EB XR16V2651IL-0B-EB Exar ИС, интерфейс UART Supports V2651 32pin QFN, PCI Interface 6178037.pdf
MAX6465UK17+T MAX6465UK17+T --- Схемы управления питанием ---
PTGL12AR1R2M1B54B0 PTGL12AR1R2M1B54B0 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---