STGB3NB60SDT4

STGB3NB60SDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB3NB60SDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9322852.pdf
Детальное описание компонента STGB3NB60SDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 70 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6 A Минимальная рабочая температура - 60 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10B/1 RGP10B/1 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 100 Volt 150ns 3970112.pdf
INA125P INA125P Texas Instruments Измерительные усилители w/Precision Voltage Reference 1300620.pdf
HEF4025BPN HEF4025BPN NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) TRPL 3INPUT NOR GATE 9481927.pdf
L17EHD15S20 L17EHD15S20 --- Субминиатюрные соединители ---
C93401 C93401 --- Реле и модули ввода и вывода ---