FGH50N6S2D

FGH50N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH50N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9322538.pdf
Детальное описание компонента FGH50N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 463 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH50N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PBRP123ES AMO PBRP123ES AMO NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) BISS RETS ---
HEF4543BT,652 HEF4543BT,652 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры BCD TO 7-SEG LATCH 3367215.pdf
24LC16BH-I/MS 24LC16BH-I/MS --- Микросхемы памяти ---
DG418CJ DG418CJ --- Коммутационные микросхемы ---
XREWHT-L1-0000-008B8 XREWHT-L1-0000-008B8 --- Светодиоды высокой мощности ---