FGH50N6S2D

FGH50N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGH50N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Comp 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9322538.pdf
Детальное описание компонента FGH50N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 463 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № FGH50N6S2D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AX104276 AX104276 Belden Wire & Cable Волоконно-оптические соединители BRILLIANCE SUPPORT HANDLE w/ADAPTOR 5601271.pdf
FJNS4208RBU_Q FJNS4208RBU_Q Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 50V/100mA/47K 22K ---
TLC5628CNE4 TLC5628CNE4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8Bit 10us Octal DAC Serial In Pgrmable 1525896.pdf
M74HC4078RM13TR M74HC4078RM13TR STMicroelectronics Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 8-Input NOR Gate 7953945.pdf7953949.pdf
MC100ELT25DT MC100ELT25DT ON Semiconductor Трансляция - уровни напряжения -5V Diff ECL to TTL ---