FF1200R17KE3

FF1200R17KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF1200R17KE3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF1200R17KE3
Конфигурация Dual Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1600 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 5.95 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM130-10 Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Q2008N4RP Q2008N4RP Littelfuse Триаки 200V 8A 25-25-25mA 233793.pdf
DMG564050R DMG564050R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm ---
RN2310(TE85L,F) RN2310(TE85L,F) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms 9514392.pdf
MAX6440UTPQYD3+T MAX6440UTPQYD3+T --- Схемы управления питанием ---
MAX6462UK28+T MAX6462UK28+T --- Схемы управления питанием ---