FZ1200R12KE3

FZ1200R12KE3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ1200R12KE3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ1200R12KE3
Конфигурация Dual Common Emitter Common Gate Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1200 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 5.6 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM 130X140-7 Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 8

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SW300070-EVAL SW300070-EVAL Microchip Technology Программное обеспечение для разработки Speech Encoding/ Decoding Lib 361490.pdf
IXGK35N120B IXGK35N120B Ixys Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 V Rds 9350722.pdf
USB2602-NU-06 USB2602-NU-06 SMSC ИС, интерфейс USB USB 2.0 Flash Media Cntrlr and 4Port Hub 6290787.pdf
SN74AHC123ADRE4 SN74AHC123ADRE4 Texas Instruments Ждущий мультивибратор Dual retrig monostbl multivibrators 3729484.pdf
1G46-005CHA 1G46-005CHA --- Субминиатюрные соединители ---