IGB01N120H2

IGB01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB01N120H2ATMA1 IGB01N120H2ATMA1, IGB01N120H2XT SP000014614,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMBD2837LT1 MMBD2837LT1 ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 150mA ---
SN74ACT574DWR SN74ACT574DWR Texas Instruments Триггеры Octal D-Ty Edge-Trig F-F W/3-State Otpt 4252571.pdf
MAX872ESA+T MAX872ESA+T --- Схемы управления питанием ---
NB2309AC1HD NB2309AC1HD --- RF Semiconductors ---
SD2410-003 SD2410-003 --- Оптические детекторы и датчики ---