IGB01N120H2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IGB01N120H2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IGB01N120H2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263-3 | Упаковка | Reel |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 3.2 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | IGB01N120H2ATMA1 IGB01N120H2ATMA1, IGB01N120H2XT SP000014614, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MMBD2837LT1 | ON Semiconductor | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 75V 150mA | --- |
|
||
SN74ACT574DWR | Texas Instruments | Триггеры Octal D-Ty Edge-Trig F-F W/3-State Otpt | 4252571.pdf |
|
||
MAX872ESA+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
NB2309AC1HD | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
SD2410-003 | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|