IGB03N120H2

IGB03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB03N120H2ATMA1 IGB03N120H2ATMA1, IGB03N120H2XT SP000014616,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
106116-2000 106116-2000 Molex Волоконно-оптические соединители SC - SC ADAPTER SIMPLEX EMI SNAP ---
P2I2305NZG-08SR P2I2305NZG-08SR ON Semiconductor Тактовый буфер 3.3V 5 O/P NZDB ---
SSL-LX100133USBC SSL-LX100133USBC --- Светодиодная индикация ---
CGH621T450V2L CGH621T450V2L --- Конденсаторы ---
108TI-5193-06 108TI-5193-06 --- Радиаторы ---