IGD01N120H2

IGD01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGD01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGD01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1, IGD01N120H2XT SP000014523,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLV3011AIDCKR TLV3011AIDCKR Texas Instruments ИС, компараторы Low Power Open Drain Output 9505704.pdf
MA4810-4100 MA4810-4100 --- Схемы управления питанием ---
SP-1114 SP-1114 --- Инструменты ---
MHS-1521 MHS-1521 --- Клеммные колодки ---
WP-30113-PO3 WP-30113-PO3 --- Микрофоны ---