IGD01N120H2

IGD01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGD01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGD01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1, IGD01N120H2XT SP000014523,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS62615EVM-419 TPS62615EVM-419 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием TPS62615 Eval Mod 9737725.pdf
AB4 AB4 Silicon Labs Дочерние и отладочные платы ETHERNET DEV BOARD 9754609.pdf
TMC3003KRC30 TMC3003KRC30 Fairchild Semiconductor ИС ЦАП для видеосигналов ---
dsPIC33FJ128MC710AT-I/PT dsPIC33FJ128MC710AT-I/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit 40MIPS 128KB Flash 5957735.pdf
MAX6161BESA MAX6161BESA --- Схемы управления питанием ---