IGD01N120H2

IGD01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGD01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGD01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGD01N120H2BUMA1 IGD01N120H2BUMA1, IGD01N120H2XT SP000014523,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NCP3011GEVB NCP3011GEVB ON Semiconductor Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием NCP3011 EVALUATION BOARD ---
WS6108 WS6108 STMicroelectronics Панели и адаптеры PSD8XX/PSD4000 Sock Adapter for TQFP-80 ---
SI9139DG-3322-T1 SI9139DG-3322-T1 --- Схемы управления питанием ---
LM2852YMXA-0.8/NOPB LM2852YMXA-0.8/NOPB --- Схемы управления питанием ---
LFXP6C-5FN256C LFXP6C-5FN256C --- Программируемые логические интегральные схемы ---