IGB30N60T

IGB30N60T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB30N60T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB30N60T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1, IGB30N60TXT SP000095765,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
L4044B1P000 L4044B1P000 Seiko Instruments Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие WTSTN Y-G LED Back 5373772.pdf
BF1204,135 BF1204,135 NXP Semiconductors РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Channel 10V 30mA 200mW 326091.pdf
SN74LV161APW SN74LV161APW Texas Instruments ИС, счетчики 4-Bit Synch Binary Counter 9572706.pdf
PEX 8624-AA50BC PEX 8624-AA50BC PLX Technology Периферийные ИС и компоненты (PCI) 24-Lane 6-Port PCI Express Switch Gen 2 ---
AT27LV256A-15JI AT27LV256A-15JI --- Микросхемы памяти ---