IGB30N60T

IGB30N60T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB30N60T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB30N60T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1, IGB30N60TXT SP000095765,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1100M-40 DS1100M-40 Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы ---
74F175SJX 74F175SJX Fairchild Semiconductor Триггеры Qd D-Type Flip-Flop 7886549.pdf
HCPL-5600#300 HCPL-5600#300 --- Оптопары и оптроны ---
08870 08870 --- Панельные измерительные приборы ---
V8ZS1 V8ZS1 --- Варисторы ---