IHW30N120R2

IHW30N120R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N120R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N120R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 390 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N120R2FKSA1 IHW30N120R2FKSA1, IHW30N120R2XK SP000212017,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74ACT823SC 74ACT823SC Fairchild Semiconductor Триггеры 9-Bit D-Tp Flip-Flop ---
MAX6439UTLRWD3-T MAX6439UTLRWD3-T --- Схемы управления питанием ---
MAX15000AEUB+T MAX15000AEUB+T --- Схемы управления питанием ---
EL3021M EL3021M --- Оптопары и оптроны ---
PI74AVC164245AAE PI74AVC164245AAE --- Логические микросхемы ---