IHW30N120R2

IHW30N120R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N120R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N120R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 390 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N120R2FKSA1 IHW30N120R2FKSA1, IHW30N120R2XK SP000212017,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DDTB114EC-7 DDTB114EC-7 Diodes Inc. Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10KW 10KW 9562382.pdf
STCD1020RDG6F STCD1020RDG6F STMicroelectronics Тактовый буфер MULTI-CHANNEL CLOCK DISTRIBUTION CIRCUIT 6064515.pdf
SST39LF512-45-4C-NH SST39LF512-45-4C-NH --- Микросхемы памяти ---
MAX6105EUR-T MAX6105EUR-T --- Схемы управления питанием ---
DS1815-10 DS1815-10 --- Схемы управления питанием ---