SGB07N120

SGB07N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGB07N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGB07N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 16.5 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGB07N120ATMA1 SGB07N120ATMA1, SGB07N120XT SP000012559,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-FM008GFD1S5R-LPJ AP-FM008GFD1S5R-LPJ --- Модули памяти ---
MAX4451EKA+T MAX4451EKA+T Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители 210MHz Single-Supply w/Rail-Rail Output 799512.pdf
24AA02-I/PG 24AA02-I/PG --- Микросхемы памяти ---
MLEAWT-H1-R250-0002F7 MLEAWT-H1-R250-0002F7 --- Светодиоды высокой мощности ---
51700-10201602CC 51700-10201602CC --- Прямоугольные разъемы ---