FGL60N100BNTDTU

FGL60N100BNTDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGL60N100BNTDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9318041.pdf
Детальное описание компонента FGL60N100BNTDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA
Рассеяние мощности 180 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-264-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 25
Другие названия товара № FGL60N100BNTDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TRF4900EVM TRF4900EVM Texas Instruments Радиочастотные средства разработки TRF4900 RF Eval Kit ---
PCA9557PW,112 PCA9557PW,112 NXP Semiconductors Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы 8-BIT I2C FM TP GPIO 4880782.pdf
IS61NLP102436A-166TQLI IS61NLP102436A-166TQLI --- Микросхемы памяти ---
BQ2060ADBQ BQ2060ADBQ --- Схемы управления питанием ---
DCMX382T400DE2B DCMX382T400DE2B --- Конденсаторы ---