FGL60N100BNTDTU

FGL60N100BNTDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGL60N100BNTDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9318041.pdf
Детальное описание компонента FGL60N100BNTDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA
Рассеяние мощности 180 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-264-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 25
Другие названия товара № FGL60N100BNTDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLK2201AIRCPG4 TLK2201AIRCPG4 Texas Instruments ИС, Ethernet 1.0 to 1.6 Gbps Gb Ethernet Transceiver 6931185.pdf
SST29VF020-70-4C-WHE SST29VF020-70-4C-WHE --- Микросхемы памяти ---
TPS62100DRG4 TPS62100DRG4 --- Схемы управления питанием ---
B64290L0657X830 B64290L0657X830 --- ЭМП и РЧП ---
6201 6201 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---