FGL60N100BNTDTU

FGL60N100BNTDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGL60N100BNTDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9318041.pdf
Детальное описание компонента FGL60N100BNTDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA
Рассеяние мощности 180 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-264-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 25
Другие названия товара № FGL60N100BNTDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
5503628-8 5503628-8 TE Connectivity Волоконно-оптические соединители BOOT BARE FIBER BLUE 3.43 LOGO ---
93LC56A/P 93LC56A/P --- Микросхемы памяти ---
LFE2-12E-5Q208C LFE2-12E-5Q208C --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX303MJE MAX303MJE --- Коммутационные микросхемы ---
XMLEZW-02-0000-0B0US627F XMLEZW-02-0000-0B0US627F --- Светодиоды высокой мощности ---