IHW30N160R2

IHW30N160R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N160R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N160R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.6 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Рассеяние мощности 312 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1, IHW30N160R2XK SP000273701,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DAC5681IRGCR DAC5681IRGCR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B 1.0 GSPS DAC Cnvrtr 1734846.pdf
HFBR-0538Z HFBR-0538Z Avago Technologies Средства разработки волоконной оптики DC-2MBd Inrbus 650nm Evaluation Kit ---
TOP253GN-TL TOP253GN-TL --- Схемы управления питанием ---
KA1M0280YDTU KA1M0280YDTU --- Коммутационные микросхемы ---
ILQ2-X007T ILQ2-X007T --- Оптопары и оптроны ---