IHW30N160R2

IHW30N160R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N160R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N160R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.6 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Рассеяние мощности 312 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1, IHW30N160R2XK SP000273701,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TSMBJ0522C-TP TSMBJ0522C-TP Micro Commercial Components (MCC) Сидаки ---
MAC16NG MAC16NG ON Semiconductor Триаки Триаки 217080.pdf
BP5041A BP5041A --- Схемы управления питанием ---
502HTF 502HTF --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
500113U050BC2B 500113U050BC2B --- Конденсаторы ---