IHW30N160R2

IHW30N160R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N160R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N160R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.6 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Рассеяние мощности 312 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1, IHW30N160R2XK SP000273701,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
XR68C92IJ-F XR68C92IJ-F Exar ИС, интерфейс UART Dual Channel UART ---
SN74ALVCH373PWRG4 SN74ALVCH373PWRG4 Texas Instruments Защелки Tri-St Octal D-Type 2535625.pdf
MAX13002EEBE-T MAX13002EEBE-T Maxim Integrated Products Трансляция - уровни напряжения ---
MPC8306SVMABDCA MPC8306SVMABDCA Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) E300 MP 133 6262361.pdf
CD4825W2UR CD4825W2UR --- Оптопары и оптроны ---