IHW30N160R2

IHW30N160R2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N160R2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N160R2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.6 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.35 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Рассеяние мощности 312 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1, IHW30N160R2XK SP000273701,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DG-EXT-BB-MM DG-EXT-BB-MM Digi International Средства разработки сетей Larsen BNC to BNC magnetic base ---
AP-SAFD25MAA004GS-ETT AP-SAFD25MAA004GS-ETT Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 25M3 SATA FLASH DRIVE SLC 4GB EXT 1700788.pdf
CD74HC10M96G4 CD74HC10M96G4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi Spd CMOS Triple 3 Input NAND 8159069.pdf
E3ML-M8F4-G E3ML-M8F4-G --- Оптические детекторы и датчики ---
T190C406J075AS T190C406J075AS --- Конденсаторы ---