HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S7N60C3DS9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9316939.pdf
Детальное описание компонента HGT1S7N60C3DS9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 60 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800
Другие названия товара № HGT1S7N60C3DS9A_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
INA216A1RSWR INA216A1RSWR --- Схемы управления питанием ---
FAN4803CP1_Q FAN4803CP1_Q --- Схемы управления питанием ---
USB3317-CP-TR USB3317-CP-TR --- RF Semiconductors ---
C503B-AAN-CZ0A0341 C503B-AAN-CZ0A0341 --- Светодиодная индикация ---
S102K29X5FN6TJ5R S102K29X5FN6TJ5R --- Конденсаторы ---