IGB50N60T
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IGB50N60T | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IGB50N60T | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263-3 | Упаковка | Reel |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1, IGB50N60TXT SP000054922, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MUN2212T1G | ON Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP | --- |
|
||
LX64EC-3F100C | Lattice | Аналоговые и цифровые коммутационные ИС E-Series, 64 I/O Switch Matrix, 1.8V, 3ns | 6898634.pdf |
|
||
MX7520LCWE | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) | 3467255.pdf |
|
||
CD74HC563ME4 | --- | Логические микросхемы | --- |
|
||
550-1205-004F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|