IGB50N60T

IGB50N60T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB50N60T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB50N60T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 100 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1, IGB50N60TXT SP000054922,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MUN2212T1G MUN2212T1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP ---
LX64EC-3F100C LX64EC-3F100C Lattice Аналоговые и цифровые коммутационные ИС E-Series, 64 I/O Switch Matrix, 1.8V, 3ns 6898634.pdf
MX7520LCWE MX7520LCWE Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3467255.pdf
CD74HC563ME4 CD74HC563ME4 --- Логические микросхемы ---
550-1205-004F 550-1205-004F --- Светодиодная индикация ---