HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTD1N120BNS9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9316119.pdf
Детальное описание компонента HGTD1N120BNS9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.3 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 60 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252AA-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 5.3 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4130CDGK THS4130CDGK Texas Instruments Дифференциальные усилители Fully Differential I/O Low Noise 555951.pdf
XIO2001IZGU XIO2001IZGU Texas Instruments Периферийные ИС и компоненты (PCI) x1 PCI Exp to PCI Bus Trans Bridge 4907718.pdf
CAT24C08ZI-G CAT24C08ZI-G --- Микросхемы памяти ---
LM3691TLX-0.75/NOPB LM3691TLX-0.75/NOPB --- Схемы управления питанием ---
559-5601-001F 559-5601-001F --- Светодиодная индикация ---