SGS10N60RUFDTU

SGS10N60RUFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGS10N60RUFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/w/FRD
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9316022.pdf
Детальное описание компонента SGS10N60RUFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 55 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220F-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 16 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № SGS10N60RUFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T160N14EOF T160N14EOF Infineon Technologies Модули КТУ (SCR) 1.4KV 3.8KA ---
74VHCT574AN 74VHCT574AN Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop 7890800.pdf
STK15C88-SF25TR STK15C88-SF25TR --- Микросхемы памяти ---
UC2842D8G4 UC2842D8G4 --- Схемы управления питанием ---
W3A43A391KAT2A W3A43A391KAT2A --- Конденсаторы ---