SGB02N120

SGB02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGB02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGB02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGB02N120ATMA1 SGB02N120ATMA1, SGB02N120XT SP000012558,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TDA8552TS/N1,112 TDA8552TS/N1,112 NXP Semiconductors Усилители звука 2X1W CMOS AMP + VOL 3864924.pdf
DAC7615UB/1KG4 DAC7615UB/1KG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) Quad Ser In 12-Bit Voltage Output 2455305.pdf
74AUP1G58L6X 74AUP1G58L6X Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2 Input, Low Power Config. Logic Gate 7938576.pdf
74LV32DB 74LV32DB NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) QUAD 2-INPUT OR GATE 9463177.pdf
MAX6440UTKQWD3+T MAX6440UTKQWD3+T --- Схемы управления питанием ---