SGB02N120

SGB02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGB02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGB02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGB02N120ATMA1 SGB02N120ATMA1, SGB02N120XT SP000012558,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EA DIP162-DN3LW EA DIP162-DN3LW ELECTRONIC ASSEMBLY Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Black/White Contrast White LED Backlight 4779259.pdf4779280.pdf
DS1816R-10/T&R DS1816R-10/T&R --- Схемы управления питанием ---
PTFT0603L1501JW PTFT0603L1501JW --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
MOC3010VM MOC3010VM --- Оптопары и оптроны ---
SSP-LX6144C2UPC SSP-LX6144C2UPC --- Светодиоды высокой мощности ---