SGD06N60

SGD06N60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGD06N60
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 6A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGD06N60
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 12 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGD06N60BUMA1 SGD06N60BUMA1, SGD06N60XT SP000011995,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T2180N18TOF VT T2180N18TOF VT Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули SCR, 1800V, 2180A ---
TT101F14KFC TT101F14KFC Infineon Technologies Дискретные полупроводниковые модули 1400V 200A ---
DAC716UB/1K DAC716UB/1K Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit w/Ser Data Interface 4086912.pdf
SP3225ECA-L SP3225ECA-L Exar Функции универсальной шины 1MBPS+3-+5.5V RS-232 AUTO ONLINE PLUS 5540051.pdf
DS1217M-4-25 DS1217M-4-25 --- Микросхемы памяти ---