SGD02N120
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | SGD02N120 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента SGD02N120 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | Упаковка | Reel |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6.2 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1, SGD02N120XT SP000012566, |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DC-WEM-01T-JT-DB | Digi International | Средства разработки WiFi / 802.11 WiME Dev. Board w/ JTAG Module | 1170705.pdf |
|
|
 |
A24-P19NF-PP | Digi International | Антенны 2.4GHz 2.4GHz16 patc ch panel 19dBi gain | --- |
|
|
|
|
FF401R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 400A DUAL | --- |
|
|
|
|
MAX6793TPTD1+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MA28181GBB | --- | Конденсаторы | --- |
|