SGD02N120

SGD02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGD02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGD02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1, SGD02N120XT SP000012566,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT17LV512A-10JC AT17LV512A-10JC --- Микросхемы памяти ---
CWA4810E CWA4810E --- Оптопары и оптроны ---
CLN6A-WKW-CK0L0343 CLN6A-WKW-CK0L0343 --- Светодиоды высокой мощности ---
CKCL22X7R1E104M CKCL22X7R1E104M --- Конденсаторы ---
C37C152K C37C152K --- ЭМП и РЧП ---