IGW50N60H3

IGW50N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW50N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW50N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 333 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1, IGW50N60H3XK SP000702548,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CD74HCT161MG4 CD74HCT161MG4 Texas Instruments ИС, счетчики Hi Spd CMOS Log 4B Binary 4894673.pdf
MAX5955BEEE+ MAX5955BEEE+ --- Схемы управления питанием ---
ispLSI2032-150LJ ispLSI2032-150LJ --- Программируемые логические интегральные схемы ---
B57861S0103A064 B57861S0103A064 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
S152M29Z5UN63L6R S152M29Z5UN63L6R --- Конденсаторы ---