IGW50N60H3

IGW50N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW50N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW50N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 333 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1, IGW50N60H3XK SP000702548,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74LV157ANSRE4 SN74LV157ANSRE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Quad 2-1-Line Data Selectors/Mltplxrs 3504400.pdf
CY7C1041BN-20ZSXA CY7C1041BN-20ZSXA --- Микросхемы памяти ---
TA7815SB(TP,Q) TA7815SB(TP,Q) --- Схемы управления питанием ---
ZHT431F02TC ZHT431F02TC --- Схемы управления питанием ---
DIN-096CPC-SR48-HM DIN-096CPC-SR48-HM --- Прямоугольные разъемы ---