IGW50N60H3

IGW50N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW50N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 333W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW50N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 333 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1, IGW50N60H3XK SP000702548,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TEACL-PIC-HV TEACL-PIC-HV FlexiPanel Программаторы - универсальные и на базе памяти PIC PROGRAMMING CLIP HIGH OR LOW VOLTGE 563944.pdf563967.pdf
DS33M33N+ DS33M33N+ Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры Ethernet Over SONET/SDH Mapper 9583121.pdf
FLP5V36.0-SR FLP5V36.0-SR --- Светодиодная индикация ---
913-690 913-690 --- Светодиодная индикация ---
557-1603-203F 557-1603-203F --- Светодиодная индикация ---