IGP03N120H2

IGP03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGP03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGP03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGP03N120H2XK IGP03N120H2XKSA1 IGP03N120H2XKSA1, SP000683038,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4500IDGNR THS4500IDGNR Texas Instruments Специальные усилители High-Speed Fully Differential +/-5 V 2115134.pdf
SN74AHC573PWE4 SN74AHC573PWE4 Texas Instruments Защелки Octal Transp D Type Latch 2549115.pdf
GLS85LS1032A-M-C-FZJE GLS85LS1032A-M-C-FZJE --- Микросхемы памяти ---
RL2010-500-110-50-PTO RL2010-500-110-50-PTO --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
ELM 1-940 ELM 1-940 --- Светодиодная индикация ---