IGP03N120H2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IGP03N120H2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IGP03N120H2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 9.6 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | IGP03N120H2XK IGP03N120H2XKSA1 IGP03N120H2XKSA1, SP000683038, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
THS4500IDGNR | Texas Instruments | Специальные усилители High-Speed Fully Differential +/-5 V | 2115134.pdf |
|
||
SN74AHC573PWE4 | Texas Instruments | Защелки Octal Transp D Type Latch | 2549115.pdf |
|
||
GLS85LS1032A-M-C-FZJE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
RL2010-500-110-50-PTO | --- | Термисторы – положительный температурный коэффициент | --- |
|
||
ELM 1-940 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|