HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9310129.pdf
Детальное описание компонента HGTG5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG5N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SC68C752BIBS,157 SC68C752BIBS,157 NXP Semiconductors ИС, интерфейс UART 2.5V-5V 2CH UART 64B 6191625.pdf
74HCT595DB-T 74HCT595DB-T NXP Semiconductors Регистры сдвига счетчика 8-BIT SHIFT REG W/OUTPUT LATCH 2477735.pdf
NLVVHC1G08DFT2 NLVVHC1G08DFT2 ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) LOG ADCD HI SPEED ---
CB184F-100 CB184F-100 --- Автоматические выключатели ---
NB0805SJM6F203JB NB0805SJM6F203JB --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---