HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9310129.pdf
Детальное описание компонента HGTG5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG5N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SSF-LXH104GD SSF-LXH104GD --- Светодиодная индикация ---
15D2-11LCS 15D2-11LCS --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
B59641A0105A062 B59641A0105A062 --- Термисторы – положительный температурный коэффициент ---
Z33M102S Z33M102S --- Варисторы ---
1600747 1600747 --- Цилиндрические разъемы ---