HGTG5N120BND

HGTG5N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9310129.pdf
Детальное описание компонента HGTG5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG5N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CAT5110TBI-10-T3 CAT5110TBI-10-T3 ON Semiconductor ИС, цифровые потенциометры DPP,MiniPot 32 taps Up/Down 5260848.pdf
TMS320F28034PAGS TMS320F28034PAGS Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Piccolo Micro 5969567.pdf
MAX6441KAEGVD7-T MAX6441KAEGVD7-T --- Схемы управления питанием ---
SI4719CY-T1-E3 SI4719CY-T1-E3 --- Коммутационные микросхемы ---
ENF1251-6PY2 ENF1251-6PY2 --- Автоматические выключатели ---