SGI02N120

SGI02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGI02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGI02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 500
Другие названия товара № SGI02N120XK SGI02N120XKSA1 SGI02N120XKSA1, SP000683104,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MRF8P23080HSR5 MRF8P23080HSR5 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура RF FET HV8 2.3GHZ 80W NI780S-4 5480612.pdf
106032-7250 106032-7250 Molex Волоконно-оптические соединители SC TUNABLE CONNECTOR SC TUNABLE CONNECTOR ---
FM93C66VM8 FM93C66VM8 --- Микросхемы памяти ---
BQ24105RHLR BQ24105RHLR --- Схемы управления питанием ---
25YD20 25YD20 --- Конденсаторы ---