SGI02N120

SGI02N120
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGI02N120
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента SGI02N120
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6.2 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 500
Другие названия товара № SGI02N120XK SGI02N120XKSA1 SGI02N120XKSA1, SP000683104,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M29W640FB70N6E M29W640FB70N6E --- Микросхемы памяти ---
Y92E-G12S Y92E-G12S --- Оптические детекторы и датчики ---
PEMI2STD/HT,115 PEMI2STD/HT,115 --- Формирование сигнала ---
809832-000 809832-000 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---
H3Y-4 AC100-120 5S H3Y-4 AC100-120 5S --- Промышленные контроллеры ---