IKP03N120H2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IKP03N120H2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IKP03N120H2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 9.6 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Through Hole | Другие названия товара № | IKP03N120H2XK IKP03N120H2XKSA1 IKP03N120H2XKSA1, SP000683052, |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
BYM11-200HE3/76 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated | 4134836.pdf |
|
||
SST29VF020-70-4C-WHE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MAX9987ETP-T | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
20108D3X104K5P | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
KRM55WR71H226MH01K | --- | Конденсаторы | --- |
|