IKP03N120H2

IKP03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKP03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKP03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKP03N120H2XK IKP03N120H2XKSA1 IKP03N120H2XKSA1, SP000683052,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BYM11-200HE3/76 BYM11-200HE3/76 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated 4134836.pdf
SST29VF020-70-4C-WHE SST29VF020-70-4C-WHE --- Микросхемы памяти ---
MAX9987ETP-T MAX9987ETP-T --- RF Semiconductors ---
20108D3X104K5P 20108D3X104K5P --- Конденсаторы ---
KRM55WR71H226MH01K KRM55WR71H226MH01K --- Конденсаторы ---