IGW03N120H2

IGW03N120H2
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: IGW03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.5,3$
Детальное описание компонента IGW03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IGW03N120H2FKSA1 IGW03N120H2FKSA1, IGW03N120H2XK SP000014182,
order_2_3week 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
X24-009NMI X24-009NMI Digi International Радиочастотные модули 24XStream 50mW tran er w/MMCX 9600 bps 1967344.pdf
DMA566010R DMA566010R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm ---
MAX5152AEEE+T MAX5152AEEE+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 13-Bit 2Ch Precision DAC 1886928.pdf
7012X5 7012X5 --- Светодиодная индикация ---
DCM752M400FE2E DCM752M400FE2E --- Конденсаторы ---