IGW03N120H2
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | IGW03N120H2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.5,3$ | ||
Детальное описание компонента IGW03N120H2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 9.6 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Through Hole | Другие названия товара № | IGW03N120H2FKSA1 IGW03N120H2FKSA1, IGW03N120H2XK SP000014182, |
order_2_3week | 2 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX3387ECUG+ | Maxim Integrated Products | ИС, интерфейс RS-232 3V Transceiver for PDAs & Cells | 5197710.pdf5197721.pdf |
|
||
SS20B2037 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
||
7810-7.7x10 | --- | Ленты и мастики | --- |
|
||
80-0120-2036-0 | --- | Ленты и мастики | --- |
|
||
240A | --- | Испытания локальных сетей/телекоммуникационных устройств/кабелей | --- |
|