IRG7IA19U-110P

IRG7IA19U-110P
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IRG7IA19U-110P
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: International Rectifier
Спецификация: 9309103.pdf
Детальное описание компонента IRG7IA19U-110P
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 360 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.52 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 30 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 35 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220AB
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BMP86D028NB0A BMP86D028NB0A Toshiba Дочерние и отладочные платы Target Connector Brd ---
SA628-B018 SA628-B018 Xeltek Панели и адаптеры TSOP56/D48 ---
MCP1631VHVT-500E/ST MCP1631VHVT-500E/ST --- Схемы управления питанием ---
E3F2-DS10C4-P1 E3F2-DS10C4-P1 --- Оптические детекторы и датчики ---
SMTC-0172 SMTC-0172 --- Инструменты ---