IKW03N120H2

IKW03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKW03N120H2FKSA1 IKW03N120H2FKSA1, IKW03N120H2XK SP000014181,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CR16-CB80-DEV-E CR16-CB80-DEV-E National Semiconductor (TI) Макетные платы и комплекты - другие процессоры CR16 EVAL KIT (EUR PWR SUPPLY) ---
MIKROE-259 MIKROE-259 mikroElektronika Модули управления питанием 5V - 3.3V VOLTAGE TRANSLATOR BOARD 9024081.pdf
TISP4250J1BJR-S TISP4250J1BJR-S Bourns Сидаки PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL 185435.pdf
UPG2214TB-E4-A UPG2214TB-E4-A --- Коммутационные микросхемы ---
H-130C-1-160 H-130C-1-160 --- Светодиодная индикация ---