IKW03N120H2

IKW03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKW03N120H2FKSA1 IKW03N120H2FKSA1, IKW03N120H2XK SP000014181,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HFM101 HFM101 Rectron Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Hi Eff Si Rect SMA,1A,50V,50ns,GP 3873194.pdf
74LCX373WMX 74LCX373WMX Fairchild Semiconductor Защелки Octal Trans Latch 1895919.pdf
IRS2530DSPBF IRS2530DSPBF --- Схемы управления питанием ---
LC4256V-5TN176I LC4256V-5TN176I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MA681R2BBB MA681R2BBB --- Конденсаторы ---