IGP01N120H2

IGP01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGP01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGP01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IGP01N120H2XK IGP01N120H2XKSA1 IGP01N120H2XKSA1, SP000683036,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P0102MN 5AA4 P0102MN 5AA4 STMicroelectronics Комплектные тиристорные устройства (SCR) THYRISTOR 141810.pdf
7715 7715 Chicago Miniature Лампы 5.0V .115A 6306069.pdf6306070.pdf
IS61VPS102436A-166TQL-TR IS61VPS102436A-166TQL-TR --- Микросхемы памяти ---
MP20041DGT-GJ-LF-Z MP20041DGT-GJ-LF-Z --- Схемы управления питанием ---
4307.2111 4307.2111 --- Модули подачи питания ---