IKA03N120H2E8153

IKA03N120H2E8153
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKA03N120H2E8153
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED NPT TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKA03N120H2E8153
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220FP-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 8.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS21Q352B DS21Q352B Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры 3.3/5V Quad T1/E1 Transceiver 9588525.pdf
CD4082BNSRG4 CD4082BNSRG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Dual 4-Input AND Gate 8067510.pdf
17880 17880 --- Панельные измерительные приборы ---
CAB8SRE CAB8SRE --- Наборы компонентов ---
395-044-524-804 395-044-524-804 --- Прямоугольные разъемы ---