HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9306475.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 63 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 63 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CWA-BASIC-NL CWA-BASIC-NL Freescale Semiconductor Программное обеспечение для разработки CW BASIC SUITE ANNL SUB ---
3N256-E4/51 3N256-E4/51 Vishay Semiconductors Мостовые выпрямители 2.0 Amp 400 Volt 2789084.pdf
TPS62204DBVRG4 TPS62204DBVRG4 --- Схемы управления питанием ---
L5987ATR L5987ATR --- Схемы управления питанием ---
DAL3W3P300H40LF DAL3W3P300H40LF --- Субминиатюрные соединители ---