HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9306475.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 63 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 63 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FJY3006R FJY3006R Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) Trans Pre-Biased NPN 50V R1_10K R2_47 ---
LM4040EIM7-2.0/NOPB LM4040EIM7-2.0/NOPB --- Схемы управления питанием ---
ALS30A682NT450 ALS30A682NT450 --- Конденсаторы ---
FIT1001/8 BK008 FIT1001/8 BK008 --- Рубки и рукава ---
MINT1065B4875C01 MINT1065B4875C01 --- Линейные и импульсные блоки питания ---