HGTG30N60B3D
|
Кол-во:
Заказать На складе
|
||
| Название: | HGTG30N60B3D | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9306457.pdf | ||
| Цены: | Розн.1,05$ | ||
| Детальное описание компонента HGTG30N60B3D | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Рассеяние мощности | 208 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 150 |
| Другие названия товара № | HGTG30N60B3D_NL | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Q8015R5 | Littelfuse | Триаки 800V 15A 50-50-50mA | 221250.pdf |
|
|
 |
ADA-4789-TR1G | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
FLP2V10.0-SUR | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
QTLP9122GR | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
XPGWHT-L1-R250-00E51 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|