HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D
Кол-во:
Заказать
На складе
Название: HGTG30N60B3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9306457.pdf
Цены: Розн.1,05$
Детальное описание компонента HGTG30N60B3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60B3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8553EEE+ MAX8553EEE+ --- Схемы управления питанием ---
249-7841-1433-574 249-7841-1433-574 --- Лампы и держатели ---
LM4040DEM3-2.0 LM4040DEM3-2.0 --- Схемы управления питанием ---
MAX14800CCM+ MAX14800CCM+ --- Коммутационные микросхемы ---
R2D-11.0-BLU R2D-11.0-BLU --- Светодиодная индикация ---